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LTE射频PA为什么要选用砷化镓工艺而GSM射频PA可以用CMOS工艺,如果LTE PA要用CMOS工艺需解决什么问题?

通信原理匿名用户 回复了问题 • 1 人关注 • 11 个回复 • 902 次浏览 • 2017-03-10 13:08 • 来自相关话题

LTE射频PA为什么要选用砷化镓工艺而GSM射频PA可以用CMOS工艺,如果LTE PA要用CMOS工艺需解决什么问题?

硬件设备Charry 回复了问题 • 1 人关注 • 10 个回复 • 2621 次浏览 • 2017-03-04 23:33 • 来自相关话题

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悟饭在砷化镓材料方面的描述是基本正确的。

但是LTE PA难做不止因为频率高。
GSM四频分别为850MHz, 900MHz, 1800MHz, 1900MHz。LTE频段覆盖450MHz 至 3800MHz 的 44个频段 (Release 12)。所以单... 显示全部 »
悟饭在砷化镓材料方面的描述是基本正确的。

但是LTE PA难做不止因为频率高。
GSM四频分别为850MHz, 900MHz, 1800MHz, 1900MHz。LTE频段覆盖450MHz 至 3800MHz 的 44个频段 (Release 12)。所以单纯从工作频率上看其实差距不是特别大。现在CMOS工艺的fT可以做到150GHz以上,速度其实不是大问题,但是耐压很成问题。

GSM和LTE的一个区别在于调制模式和调制带宽(GSM uplink采用GMSK,LTE uplink采用SC-FDMA)。LTE对PA线性度要求更高,所以耐压高的GaAs工艺更受青睐。而且GaAs衬底损耗小,还可以集成高质量的无源元件。

最近学术界和工业界都在积极地研发CMOS PA。最新进展可以参考ISSCC的相关论文。

另:高通去年已经可以量产LTE的CMOS PA了(QFE2340)。

Qualcomm Launches First Chips with Integrated CMOS Power Amplifier and Antenna Switch for 3G/4G LTE multiband Mobile Devices
悟饭在砷化镓材料方面的描述是基本正确的。

但是LTE PA难做不止因为频率高。
GSM四频分别为850MHz, 900MHz, 1800MHz, 1900MHz。LTE频段覆盖450MHz 至 3800MHz 的 44个频段 (Release 12)。所以单... 显示全部 »
悟饭在砷化镓材料方面的描述是基本正确的。

但是LTE PA难做不止因为频率高。
GSM四频分别为850MHz, 900MHz, 1800MHz, 1900MHz。LTE频段覆盖450MHz 至 3800MHz 的 44个频段 (Release 12)。所以单纯从工作频率上看其实差距不是特别大。现在CMOS工艺的fT可以做到150GHz以上,速度其实不是大问题,但是耐压很成问题。

GSM和LTE的一个区别在于调制模式和调制带宽(GSM uplink采用GMSK,LTE uplink采用SC-FDMA)。LTE对PA线性度要求更高,所以耐压高的GaAs工艺更受青睐。而且GaAs衬底损耗小,还可以集成高质量的无源元件。

最近学术界和工业界都在积极地研发CMOS PA。最新进展可以参考ISSCC的相关论文。

另:高通去年已经可以量产LTE的CMOS PA了(QFE2340)。
Qualcomm Launches First Chips with Integrated CMOS Power Amplifier and Antenna Switch for 3G/4G LTE multiband Mobile Devices

LTE射频PA为什么要选用砷化镓工艺而GSM射频PA可以用CMOS工艺,如果LTE PA要用CMOS工艺需解决什么问题?

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